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  • 850nm 28Gbaud GaAs 1x4 Array PD Chip φ38um(芯片)

    850nm 28Gbaud GaAs 1x4 Array PD Chip φ38um(芯片) 850nm GaAs PIN 高速光探測(cè)器陣列芯片

    更新時(shí)間:2025-12-24
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  • 100 GHz 平衡光電探測(cè)器模塊(InGaAs銦鎵砷)

    100 GHz 平衡光電探測(cè)器模塊(InGaAs銦鎵砷) 用于 超過(guò) 1 Tb/s 相干電信應(yīng)用 的 探測(cè)器模塊 探測(cè)器模塊在下一代電信相干光通信鏈路的開發(fā)中具有重要意義。由于這些研發(fā)鏈路在符號(hào)速率方面總是優(yōu)秀一步,因此接收端需要具有超越現(xiàn)有技術(shù)水平的射頻帶寬的光電探測(cè)器模塊。結(jié)合 90° 光學(xué)混合器,平衡光電探測(cè)器能夠?qū)崿F(xiàn)相干接收機(jī)的功能,用于檢測(cè)雙偏振高階 QAM 信號(hào)。

    更新時(shí)間:2026-04-21
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  • 單光子計(jì)數(shù)模塊 COUNT T系列

    單光子計(jì)數(shù)模塊 COUNT T系列 全新推出的 COUNT T 系列單光子計(jì)數(shù)模塊,專為單分子應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā),集優(yōu)化的高探測(cè)效率、寬動(dòng)態(tài)范圍與易用性于一體,適用于時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)(TCSPC)、熒光相關(guān)光譜(FCS)、熒光壽命成像(FLIM)等領(lǐng)域。該模塊融合了 LASER 的超低噪聲硅雪崩光電二極管,以及專門設(shè)計(jì)的淬滅和信號(hào)處理電子元件,可滿足 400-1000 nm 波長(zhǎng)范圍內(nèi)單光子探測(cè)的全部

    更新時(shí)間:2025-10-13
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  • 單光子計(jì)數(shù)模塊 COUNT NIR系列

    單光子計(jì)數(shù)模塊 COUNT NIR系列 該系列單光子計(jì)數(shù)模塊具有極低的暗計(jì)數(shù)率,其研發(fā)旨在為光子計(jì)數(shù)應(yīng)用提供集高光子探測(cè)效率、寬動(dòng)態(tài)范圍、低暗計(jì)數(shù)率與易用性于一體的不一樣解決方案。該模塊結(jié)合了的超低噪聲硅雪崩光電二極管,以及專門研發(fā)的淬滅和信號(hào)處理電子元件,可滿足 400-1000 nm 波長(zhǎng)范圍內(nèi)單光子探測(cè)的全部需求。入射光子會(huì)生成相應(yīng)的電脈沖信號(hào),可通過(guò)TTL輸出接口便捷讀取。

    更新時(shí)間:2025-10-13
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  • MCT-PCI-4TE-9-2×21-16um 中紅外光浸沒式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列

    1-16um 中紅外光浸沒式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列 PCI-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器,采用光學(xué)浸沒以提高探測(cè)器的性能,使其具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。

    更新時(shí)間:2025-09-01
    產(chǎn)品型號(hào):MCT-PCI-4TE-9-2×2
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