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795nmVCSEL發射激光器 PL-VCSEL-795-1-1-SA-14BF 是一款垂直發射的單模二極管激光器，采用 MOVPE（金屬有機氣相外延）技術生長，以 GaAsP/AlGaAs（砷化鎵磷 / 鋁鎵砷）為材料。該芯片采用 14 引腳蝶形封裝，內置 TEC（熱電制冷器）和 PD（光電探測器）。通過調節激光電流和溫度可實現波長調諧。

1403nm MEMS VCSEL激光二極管 垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL）是一種以砷化鎵半導體材料為基礎研制的半導體激光器，其激光垂直于頂面發射，與發光二極管（LED）和激光二極管（LD）存在本質區別；

763nm 單模VCSEL激光器 （不帶TEC,適用于氧氣傳感） PL-VCSEL-0763-0-A82 型 763nm 垂直腔面發射激光器（VCSEL）是一款垂直出光的激光器，基于金屬有機氣相外延（MOVPE）技術生長的 GaAsP/AlGaAs 單模半導體激光芯片制成。

1550nm VCSEL垂直腔面發射激光器 (帶隔離器 1.0mW) 產品總覽 垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型，N型布拉格發射器。

1550nm單模VCSEL激光器（帶TEC） 產品總覽 PL-VCSEL-1550-0-A81-CPSA 1550nm VCSEL是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模二極管激光器。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。我們的1550 nm單模VCSEL設計用于高速、高性能通信應用。