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  • ULM-850-B2-PL-S46FZP850nm單模VCSEL激光器TO46(不帶TEC)2mW

    850nm單模VCSEL激光器TO46(不帶TEC)2mW 產品總覽 Philips借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。

    更新時間:2025-03-17
    產品型號:ULM-850-B2-PL-S46FZP
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  • ULM850-10-TN-S46FTT850±10nm單模VCSEL激光器(帶TEC) 1mW

    850±10nm單模VCSEL激光器(帶TEC) 1mW 產品總覽 Philips借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。

    更新時間:2025-03-17
    產品型號:ULM850-10-TN-S46FTT
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  • P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器VCSEL TO39

    760nm單模垂直腔面發射激光器VCSEL TO39 760nm單模垂直腔面發射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)應用而設計,內置防靜電(ESD)保護.

    更新時間:2025-02-19
    產品型號:P760/01_2
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  • 1567nm VCSEL垂直腔面發射激光器 1.0mW

    1567nm VCSEL垂直腔面發射激光器 1.0mW 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。

    更新時間:2026-01-21
    產品型號:
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  • V00145-Group4795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±

    795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group4
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