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P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
RFLDM-RF射頻激光二極管驅動（控制/電源）
IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X3.0mm（晶體/棱鏡
2x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調/鎖相放大器等）
截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
WISTSense Point 緊湊型高精度光纖傳感器解調儀（信號解調/鎖相放大器等）
CO2激光光譜分析儀
超高功率光束質量分析儀
350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
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產品分類
IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片） 光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質不重要。
更新時間：2025-01-03
產品型號：SIFZP10-2
瀏覽量：2069
IR拋光CZ級(Si)硅窗片 AR/AR增透膜 1.2-15um (30.0X2.0mm 窗口片) 光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質不重要。
更新時間：2025-01-03產品型號：SICZP30-2AR瀏覽量：1834
IR拋光CZ級(Si)硅窗片 矩形 N-type 摻雜 1.2-15um (50mm x 50mm x 10mm 用于中子反射窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 產品總覽 光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸
更新時間：2025-01-03產品型號：SICZP50-50-10NEUT瀏覽量：1889
IR級拋光氟化鍶窗片 0.15-11um (10.0X1.0mm圓形SrF2窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 氟化鍶（SrF2）通過真空Stockbarger生長技術生產，只有專業方面的應用。 光學上，SrF2具有介于鈣和BaF2之間的性質。 通常，窗口片符合紅外使用條件，但可以在大部分紫外線光譜范圍內提供良好的性能。為了保證穿過 UV（和 VUV）的傳輸，型號以U結尾
更新時間：2025-01-02產品型號：SRFP10-1瀏覽量：1884
IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X3.0mm（晶體/棱鏡） ZnS多光譜（透明）用于紅外窗口和熱波段（8至14μm）透鏡，te別是需要更大透射和更低吸收率的窗口。 選擇用于可見對準也是有利的。硫化鋅通過從鋅蒸汽和H2S氣體合成而產生，經過壓片形成片狀。
更新時間：2026-06-16產品型號：瀏覽量：7095
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